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三氟化氮(NF3),是一種無色、無臭、性質穩定的氣體,是一種強氧化劑。三氟化氮熔點為-206.8℃,沸點為-129.0℃,不溶于水。三氟化氮在微電子工業中作為一種優良的等離子蝕刻氣體,在等離子蝕刻時裂解為活性氟離子,對硅和氮化硅蝕刻時,采用三氟化氮比四氟化碳和四氟化碳與氧氣的混合氣體有更高的蝕刻速率和選擇性,尤其是在厚度小于1.5μm的集成電路材料的蝕刻中,三氟化氮具有非常優異的蝕刻速率和選擇性,在被蝕刻物表面不留任何殘留物,同時也是非常良好的清洗劑。
項目 Items | 單位 Unit | 指標 Indexs | ||||
三氟化氮(NF3)≥ | Vol.% | 99.5 | 99.9 | 99.98 | 99.99 | 99.996 |
四氟化碳(CF4)≤ | Vol.ppm | 1500 | 500 | 100 | 50 | 20 |
氮氣(N2)≤ | Vol.ppm | 700 | 50 | 10 | 10 | 5 |
氧加氬(O2+Ar))≤ | Vol.ppm | 700 | 50 | 10 | 5 | 3 |
一氧化碳(CO)≤ | Vol.ppm | 50 | 10 | 10 | 5 | 1 |
二氧化碳(CO2)≤ | Vol.ppm | 25 | 10 | 10 | 5 | 0.5 |
氧化亞氮(N2O)≤ | Vol.ppm | 50 | 10 | 10 | 5 | 1 |
六氟化硫(SF6)≤ | Vol.ppm | 50 | 50 | 10 | 5 | 2 |
可水解氟化物Hydrolyzable fluoride(Measured by HF)≤ | Vol.ppm | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
水(H2O)≤ | Vol.ppm | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
三氟化氮可用作高能化學激光氣的氟源,又可用于多晶硅、氮化硅、硅化鎢等半導體材料的蝕刻劑。其亦可用作半導體芯片生產的化學氣相沉積室和液晶顯示器面板的清洗劑,使用三氟化氮作為CVD箱清洗劑,與全氟烴相比,可減少污染物排放量約90%,且可顯著提高清洗速度,提升清洗能力。
三氟化氮充裝在鋼質無縫氣瓶中,鋼瓶容積分別為8L、40L、43.3L、47L;鋼瓶壓力為9.0-13.0MPa。具體包裝規格可根據用戶需求定制更改。
廠房環境